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法。下面是关于led未来外延片技术的一些发展趋势。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺，但一次可装入衬底数有限，6片机比较成熟，20片左右的机台还在成熟中，片数较
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
以p管s1和n管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
t1271和aat1272的双通道升压转换器，以每个高达750 ma的电流支持两个wled或者以高达1.5a的电流支持一个wled，并且它们都采用紧凑的3x3-mm tdfn封装。它
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120536.html2010/12/13 23:00:00
★ 先把铝型材、不锈钢或者铁皮加工成槽字——文字或标识（logo）的图样,铁皮的还要进行喷涂、烤漆等工序处理,槽字的深度一般为8cm—12cm。★ 把led光源模块用连接线
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120538.html2010/12/13 23:00:00
的主要特点如下： 1.高热传导低热阻 2.热膨胀系数匹配(tce:6.2) 3.抗uv 4.抗腐蚀和黄化 5.符合rohs规定 6.高气密性 7.耐高
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120533.html2010/12/13 22:59:00
朗光学半导体公司2008年调查统计，全球每年家庭照明灯座出货量约为500亿个。 led光源的技术日趋成熟，每瓦发光流明迅速增长，促使其逐年递减降价。以1wled光源为例，2008
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120530.html2010/12/13 22:58:00
括针头接触pcb之前和期间的延时时间)。池槽温度应该在25~30°c之间，它控制胶的粘性和胶点的数量与形式。 范本印刷被广泛用于锡膏，也可用与分配胶剂。虽然目前少于2%的sm
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120532.html2010/12/13 22:58:00
+1850c,比其它公司同级？a品高600c,利用传统rf4印刷电路板封装时，周围环境温度400c范围内可以输入相当於1.5w电力的电流（大约是400ma）。所以lumileds
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
x0.8mm），这些保险丝最大允许电流为：1206型7安培，0603型5安培。这些晶片保险丝可提供与电池组、移动电话、笔记本、lcd监视器、pda和调制解调器匹配良好的紧凑设计。当
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
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