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led照明灯具对低压驱动芯片的要求

led照明灯具对低压驱动芯片有什么要求:驱动芯片的标称输出电流要求大于1.2-1.5a,作为照明用的led筒灯光源,1w功率的led光源其标称工作电流为350ma,3w功率的le

  https://www.alighting.cn/resource/20130226/126000.htm2013/2/26 11:49:24

诚招全国各地遥控灯及智能控制中枢代理商

诚招全国各地代理商 1.市场分析:科技在发展,人类在进步,随着人们生活水平的提高,对生活的质量要求越来越高,对建筑装修的要求也越来越水平化,智能化、个性化。我公司研发的双龙先

  http://blog.alighting.cn/ysc123/archive/2010/3/12/35794.html2010/3/12 16:41:00

十二五”路灯改造,led 照明迎来机遇

“十城万盏”半导体照明试点和路灯led 改造将继续推进。“十二五”期间,广州将在每年安排1 亿元用于led 产业发展,计划对中心城区11.4 万盏市政路灯进行led 路灯节能改

  https://www.alighting.cn/2012/2/2 20:13:42

智能照明的倡导者河北双龙电子

河北双龙电子遥控模拟变量台灯和家居智 能控制中枢代理商及经销商 1.市场分析:科技在发展,人类在进步,随着人们生活水平的提高,对生活的质量要求越来越高,对建筑装修的要求也越来

  http://blog.alighting.cn/ysc123/archive/2010/3/27/38791.html2010/3/27 16:00:00

ge衬底上gainp_2材料的生长研究

对gainp2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当gainp2材料的生长温度为650680℃,生长速率为25~35nm/min,ⅴ/ⅲ为180~220时,获得了满足级联电

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26

gan薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征

采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr

  https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10

纳米zno薄膜对有机电致发光器件性能的影响

对这种发光器件性能的影响。在普通有机电致发光器件空穴传输层和发光层之间直接蒸镀一层纳米zno薄膜,当纳米zno薄膜的厚度为1nm时,器件的电流效率可达3.26cd/a,是没有纳米zn

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15

氧化处理的蓝宝石基片上沉积的zno/mgo多量子阱的结构及光学性质研究

采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

然不同.对α面gan的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面gan和с面蓝宝石上的с面gan,在α面gan上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性gan截然不同.对α面gan的缺陷形成原因进行了讨

  https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33

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