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led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn基材料内存在的晶格和失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led散基板介绍及技术发展趋势

所不同,而led各种散途径方法约略可以 下示意之:  散途径说明:  (1). 从空气中散  (2). 能直接由system circuit board导出  (3). 经

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261888.html2012/1/8 22:43:58

led散基板介绍及技术发展趋势

所不同,而led各种散途径方法约略可以 下示意之:  散途径说明:  (1). 从空气中散  (2). 能直接由system circuit board导出  (3). 经

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261891.html2012/1/8 22:44:02

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn基材料内存在的晶格和失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led散基板介绍及技术发展趋势

所不同,而led各种散途径方法约略可以 下示意之:  散途径说明:  (1). 从空气中散  (2). 能直接由system circuit board导出  (3). 经

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263054.html2012/1/29 23:31:54

led散基板介绍及技术发展趋势

所不同,而led各种散途径方法约略可以 下示意之:  散途径说明:  (1). 从空气中散  (2). 能直接由system circuit board导出  (3). 经

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263057.html2012/1/29 23:32:04

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  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268092.html2012/3/15 21:16:38

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所不同,而led各种散途径方法约略可以 下示意之:  散途径说明:  (1). 从空气中散  (2). 能直接由system circuit board导出  (3). 经

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268095.html2012/3/15 21:16:50

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn基材料内存在的晶格和失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn基材料内存在的晶格和失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

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