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led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

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m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led照明能否大显身手 驱动电源是关键

士认识到,要充分发挥led的潜能,照明驱动电源是关键的支撑因素之

  https://www.alighting.cn/news/2013523/n725952010.htm2013/5/23 9:39:46

陈俊吉:led智能照明驱动新思维

本资料来源于2014新世纪高峰论坛,由技术分享嘉宾——来自聚积科技股份有限公司 照明产品总监 陈俊吉主讲的关于介绍《led智能照明驱动新思维》的资料,现在分享给大家,欢迎下载附

  https://www.alighting.cn/resource/20140616/124511.htm2014/6/16 13:34:26

详解led路灯的高效率电源驱动器系统设计

led路灯系统的高效率电源驱动器的设计,其首要的目的就是保证路灯的高频率工况,同时防止供电系统中的干扰侵入到路灯系统中而造成损坏。其次,利用多种复合电路和晶体管来提高供电过程

  https://www.alighting.cn/resource/20131101/125161.htm2013/11/1 11:05:49

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