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势。 第二章 mocvd之原理 ｍｏｃｖｄ反应为一非平衡状态下成长机制，其原理为利用有机金属化学气相沉积法ｍｅｔａｌ－ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏ
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
5 lmw。citizen公司采用nichia公司的白色led裸片开发出迄今为止世界上最小的白色led，其厚度为0．55 mm。nichia公司的非smd型白色led的尺寸为11．
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
、氢化物汽相外延（hvpe）[6] 等。 2.1 mocvdmocvd是一种非平衡生长技术，它依赖于源气体传输过程和随后的ⅲ族烷基化合物与ⅴ族氢化物的热裂解反应。组分和生长速率均
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
源层中剩余的mg－h络合物分解，p型层有效离化受主浓度增加，led发光强度增加；在第二阶段，施主缺陷n空位的形成占优势，使得受主浓度降低，而且这种缺陷增加了非辐射复合的可能性，从
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
该模块还利用码分多址技术进行数据编码解码，最多可提供531 441（312）个地址码，可以彻底消除任何码址冲突和非授权编码数据的干扰。 1.3 图像点阵抽取和移动算法 图像点
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134135.html2011/2/20 23:01:00
本文讨论的简单电路能够调节高亮度led的驱动电流，该电路采用非定制、高度集成的降压型开关调节器(max5035)，能够准确地控制流过led的电流。max5035 dc/dc转换
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134143.html2011/2/20 23:05:00
场。 3.１、ｌｅｄ芯片 芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效率的高低直接影响到ｌｅｄ的发光效能，非辐射复合率则决定着芯片产热的大小。可以说只有制造出具有良好质量的ｌｅｄ芯片，才可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134144.html2011/2/20 23:06:00
、移动电话背光、汽车尾灯、短距离通信、光电计算机互联等。但是由于非辐射缺陷的作用，使得 gan 基发光二极管的内量子效率在室温时，远远小于 100% 。此外，导致 gan 基发光二极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
片复位时，寄存器中的数据设定led驱动电流。极低的33μa lsb电流可在非反射lcd显示中允许涓流通过led。aps4070门动在1×和1.5×模式之间切换以在全部负载范围获得高效
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134155.html2011/2/20 23:09:00
些需要大功率非聚焦光源的场合。ccfl和led光源需要适当的供电电源，而且，不同技术具有不同的特殊要求，电源必须提供特别的应用和功能。本文为led和ccfl光源提供了一些电源解决方
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134185.html2011/2/20 23:26:00
