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零,说明内部击穿短路。若正、反向电阻均为无穷大,证明内部开路。需要说明两点：第一,对於同种材料的管芯,由於所掺杂质的不同,发光??色亦不同；第二, led 属於电流控制型器件, v
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230099.html2011/7/18 23:45:00
电光源原理告诉我们：电子镇流器和荧光灯正常工作时,灯管的两个阴极交替激发电子,灯电流波形上下半周对称;当其中一个阴极激发电子减弱,灯电流波形上下半周出现不对称,这种现象视为荧光灯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230100.html2011/7/18 23:45:00
电性能。led的pn结电特性,决定了led在照明应用中区别于传统光源的电气特性,即单向非线性导电特性、低电压驱动以及对静电敏感等特点。目前主要的测量参数包括正向驱动电流、正向压降
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230097.html2011/7/18 23:44:00
led测试的基本概念：「正向电压」通过发光二极体的正向电流为确定值时,在两极间产生的电压降。「反向电流」加在发光二极体两端的反向电压为确定值时,流过发光二极体的电流。「峰值波长
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230096.html2011/7/18 23:43:00
题不是？其实,应当更严格地说,散热问题的加剧,不在高亮度,而是在高功率；不在传统封装,而在新封装、新应用上。首先,过往只用来当指示灯的led,每单一颗的点亮(顺向导通)电流多在5m
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230092.html2011/7/18 23:40:00
1)led单芯片封装led在过去的30多年里,取得飞速发展。第一批产品出现在1968年,工作电流20ma的led的光通量只有千分之几流明,相应的发光效率为0.1 lm/w,而且只
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程,结果使材料利用率降低、成本增加。由于p型gan掺杂困难,当前普遍采用在p型gan上制备金属透明电极的方法,使电流扩散,以达到均匀发光的目
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
管,它是半导体pn结二极管中的一种,其电压-电流之间的关系称为伏安特性。由图1可知,led电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流和反向电压,led必须在合适的电流电压驱动下才能正
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至相差很大,就是同一厂家的不同时间的工艺都是有差异的；不同厂家使用的半导体原材料的纯度是有差异的,这就使led的发光强度与驱动电流是不完全相同、耐过电流能力和发热的差异也就自然而
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f)：施加在晶片两端,使晶片正向导通的电压。此电压与晶片本身和测试电流存在相应的关系。vf过大,会使晶片被击穿。c、顺向电流(if)：晶片在施加一定电压后,所产生的正向导通电流。i
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