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led基础知识之eos与esd的区别

属线熔化、发热、高功率、闩锁效应其可见性不强损坏位置不易发现,短的eos脉冲损坏看起来像esd损坏通常导致晶体管级别的损坏。四、静电防护1.设定静电区域说明:在生产现场设定静电敏

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258524.html2011/12/19 10:58:10

led概述

个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子和空穴就会被推向量子阱,在量子阱内电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是led发光的原理。而光的波长也就是光的颜

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258517.html2011/12/19 10:57:31

剖析led照明产业热、市场冷现象

势消失。所以说,一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。led的发光效率分为内、外量子效率,对于内量子效率基本可达80%甚至90%,而外量子效率由于无法有效放出光子,被led吸

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258502.html2011/12/19 10:56:50

用于lcd背光的led技术进步

d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子,会降低效率。  迄今为止,hbled通常采用两种主要技术制成:ingan和allngap(也称

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26

解析led光谱技术,挑战超高亮度led产品

艿牟槐湓?则下,可在半导体内正负极2个端子施加电压, 当电流通过时,促使电洞与电子相互结合,其它剩鹞能量便会以光的形式?a生释放,其能阶高低使光子能量?a生不同波长的光,以致於造

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258485.html2011/12/19 10:55:56

led芯片的技术发展状况

向出光利用率。  1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标,tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收(有源区吸收和自由截流子吸收等)引起的

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

剖析:led照明产业热、市场冷现

势消失。所以说,一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。    led的发光效率分为内、外量子效率,对于内量子效率基本可达80%甚至90%,而外量子效率由于无法有效放出光子

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258472.html2011/12/19 10:55:30

led照明将进军照明行业的节能前锋

能灯高数倍,在光效方面,led的光效曾经有了很大的奔腾,如今做到150流明/w曾经不是困难,然则led照明还面对许多要素的限制。led属于晶体发光,晶体的温度不可以过高,温渡过高

  http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/12/12/257695.html2011/12/12 16:50:55

城市景观照明中“光”与“影”的艺术魅力

学上的定义,光有时候是指所有的电磁波谱。光是由一种称为光子的基本粒子组成的,具有粒子性与波动性。目前比较合理的观点是光既是一种粒子同时又是一种波,具有波粒二相性,就像水滴和水波的关

  http://blog.alighting.cn/niolighting/archive/2011/11/22/255029.html2011/11/22 11:04:10

生物照明

应,这是一种起初是高能状态的物质,然而很快它就会进入稳定的低能状态,在此期间只喷射一种光子光线。该研究小组成员之一的遗传学家西奥-桑德逊(theo sanderson)告诉《新科学

  http://blog.alighting.cn/92010/archive/2011/11/7/250819.html2011/11/7 11:36:19

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