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采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
据业内人士指出，2013年国内蓝宝石衬底项目至少要停掉50%以上，这也就意味着此前在建的60多个项目，至少有一半项目将被迫退出。一场蓝宝石衬底领域的洗牌大战已经悄无声息地开始。
https://www.alighting.cn/news/20130415/90242.htm2013/4/15 10:19:57
科瑞斯特的客户，目前主要在台湾和中国大陆，台湾的两家客户规划安装的设备数量各达到了200台。2011年，科瑞斯特的客户将可以提供2英寸和4英寸的蓝宝石衬底600万片。今年11
https://www.alighting.cn/news/20100831/121008.htm2010/8/31 0:00:00
国际半导体照明联盟(isa)在广州举行年度成员大会，并正式发布了“全球半导体照明2012年度新闻”评选结果。晶能光电作为“全球首家量产硅基大功率led芯片的公司”成功入选了“全
https://www.alighting.cn/news/20121105/113019.htm2012/11/5 11:49:36
安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(gan-on-si)功率器件。
https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
图形化衬底(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。
https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31
