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长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于led外延片技术的一些资料。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
本标准规定了蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片的技术要求、测试方法、检验规则。本标准适用于半导体器件用蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片。
https://www.alighting.cn/news/20110729/109884.htm2011/7/29 15:50:28
十种人体所需矿物质和微量元素，喜马拉雅水晶盐含氟化纳98%以上，其余元素包括铁、钙、镁、钾、铝、锌、镓、硅等等数十种人体所需矿物质，是名副其实的“盐中之王”。 具有完美水晶结构，蕴
http://blog.alighting.cn/lightsalt/archive/2011/7/18/229981.html2011/7/18 10:20:00
氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如gan、si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓用于gan生长的最理想衬底是gan单晶材料,可大大提高外延膜的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
伏发电led照明系统控制技术的研究受到了各方面的重视。 太阳能光伏电池的发电原理是光生伏特效应，对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.50.6v,通过光照在界面层产
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143399.html2011/3/17 21:34:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261364.html2012/1/8 20:21:52
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
微观形貌分析、钙测试以及寿命测试表明,通过增加ald 的pgt,低温制备的薄膜与高温制备的薄膜的均匀性差别较小,且制备过程对oled 器件的光电性能无明显影响。
https://www.alighting.cn/2014/10/23 11:03:15
