检索首页
阿拉丁已为您找到约 285条相关结果 (用时 0.020581 秒)

led技术:外延片生长基本原理

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

蓝光led之父又有斩获 gan器件研发呈现新进展

中村修二的团队成功地在新平面上生长出光滑的缺陷较少的薄膜。与此生长技术相关的专利已有12项正在申请。该薄膜生长技术涉及现有的横向外延过生长技术,但具体细节没有被披露。

  https://www.alighting.cn/resource/20051106/128461.htm2005/11/6 0:00:00

台湾led业整合风起 晶电、国联合并

继联铨与元砷宣布合并后,晶元光电和国联光电于8月15日宣布合并,换股比例暂定为国联2.24股换晶电1股,合并后公司股本30.6亿元(新台币)。

  https://www.alighting.cn/resource/20050930/128445.htm2005/9/30 0:00:00

清华大学研制出同位素纯硅外延

日前,清华大学工程物理系技术物理研究所利用离心分离技术获得了同位素纯硅-28,并与本校微电子所合作,在普通硅片上外延成单晶状硅-28薄膜,并采用这种特殊的硅片研制出两种基本的微电子

  https://www.alighting.cn/resource/20040910/128412.htm2004/9/10 0:00:00

波兰top gan公司制作gan单晶衬底

top gan是由unipress,隶属于华沙的波兰科学院的高压研究中心发展起来的,组建于2001年。

  https://www.alighting.cn/resource/20040712/128408.htm2004/7/12 0:00:00

首页 上一页 22 23 24 25 26 27 28 29