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6月10日，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
附件为《硅衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
日企 — 柯达开发出使主动矩阵驱动有机el面板多年以来的课题 — tft开态电流误差引起的亮度不均“得到了彻底解决”的补偿技术，并在“sid 2007”上进行了发表。
https://www.alighting.cn/resource/20070530/128504.htm2007/5/30 0:00:00
作为江西省led产业龙头企业和全球硅基led技术的领导者，晶能光电积极在高新区布局硅基led产业，吸引了多家企业入区配套，形成了led产业在高新区的集聚。目前其新一轮的融资已经完
https://www.alighting.cn/news/2013513/n091151630.htm2013/5/13 13:22:36
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
欧切斯的前沿调光驱动器，abs 高阻燃性材料，耐高温耐冲击，旋转按钮即可实现在家庭、办公室、餐厅、酒吧等场所无频闪调光;而对于使用mosfet管的后沿etv可控硅调光旋钮来说，
https://www.alighting.cn/news/20160713/141836.htm2016/7/13 9:20:22
据国家发改委网站报道，目前，我国大直径半导体硅材料产业化取得新进展，北京有色金属研究总院、国家半导体材料工程研究中心和有研半导体材料股份有限公司联合攻克了0.13-0.10微米集
https://www.alighting.cn/news/20060731/102032.htm2006/7/31 0:00:00
目前功率元件中使用的硅晶圆口径最大为200mm。英飞凌市场营销及分销高级副总裁anton mueller自豪地表示，“我们是业界第一家”证实了采用300mm晶圆可以制造出与20
https://www.alighting.cn/news/20111026/114298.htm2011/10/26 10:37:46
近日，碳化硅功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特基势垒(jbs)二极管系列。
https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17
渠道为王，技术制胜。在6月9日-12日举行的亚洲led高峰论坛上，晶能光电作为此次cto技术交流大会的嘉宾，将以“硅衬底大功率led芯片产业化及应用”为话题探讨led技术。为让网
https://www.alighting.cn/news/20120511/85518.htm2012/5/11 16:46:27
