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gan基led材料特性研究及芯片结构设计

本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及理化学特性之后,从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48

最新研究:ingan量子井在led的局限性

氮化铟镓(ingan)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180223/155245.htm2018/2/23 14:43:04

晶能光电:大尺寸硅衬底氮化镓基led

全球的led产业正在展开一场生死战。技术为王,战略取胜,在6月9日-10日举行的新世纪led高峰论坛“外延芯片技术及设备材料最新趋势”的主题峰会上,晶能光电有限公司将应邀作精彩演讲

  https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14

绿光led突破光效瓶颈 伦斯勒理工学院取得成果

伦斯勒理工学院的研究人员发明了一种能大大提高绿色led发光量的制造方法:在led的蓝宝石衬底和氮化镓层的交界处进行纳米级蚀刻,使led产生绿光,并且在光提取,内部效率和发光量方

  https://www.alighting.cn/news/20110509/100509.htm2011/5/9 10:38:49

氢化气相外延自支撑gan衬底制备技术研究进展

氢化气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化气相外延技

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

从钻石的散热及发光看超级led的设计

台湾虽已成世界led生产的重镇,但其主要发光专利仍掌握在日(如nichia)、美(如cree)、欧(如osrams)等大公司的手中。更有甚者,mocvd生长的led磊晶(如氮化

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28

古建筑照明

古建筑照明设计

  http://blog.alighting.cn/hlj858505/archive/2010/1/28/26186.html2010/1/28 14:19:00

尖端照明控制系统实现幕墙和建筑与环境的互动

采用尖端的照明控制系统,是为了抵挡强烈的太阳眩光,并消除室内灯光在晚间扰人的反射,让住客尽情享受 180° 的无遮挡全海景。

  https://www.alighting.cn/news/201228/n989737368.htm2012/2/8 9:43:17

三安光电内生外延双管齐下 或成全球化合半导体龙头

三安光电公布2015半年报,公司上半年实现收入22.9亿元,同比增长5.26%,净利润9.04亿元,同比增长35.76%,略低于预期,主要因新购mocvd未投产,预计下半年随着新装

  https://www.alighting.cn/news/20150821/131959.htm2015/8/21 10:06:54

三安光电短期业绩承压 化合半导体长期看好

2016年8月23日晚,三安光电发布《三安光电股份有限公司2016年半年度报告》。公司上半年实现营业收入27.78亿元,同比增长21.25%;公司二季度单季实现营业收入16.00亿

  https://www.alighting.cn/news/20160826/143312.htm2016/8/26 9:43:43

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