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年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11
、led光源有利环保led为全固体发光体、耐冲击不易破碎、废弃物可回收、没有污染减少大量二氧化硫及氮化物等有害气体以及二氧化碳等温室气体的产生改善人们生活居住环境，可称“绿色照明光源。
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261420.html2012/1/8 21:27:53
明。《意见》则进一步明确了我国led照明节能产业的重点发展领域：一是技术与装备。支持mocvd装备、新型衬底、高纯mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化镓材料、ole
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261419.html2012/1/8 21:27:52
、philips、广镓、晶元等）。就我们的经验，常规小功率产品选用广镓或晶元芯片已经足以满足产品品质要求及一般客户需求，这主要还在于广镓和晶元芯片在光衰和可靠性方面比较好。这样护栏管的质量从源
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261398.html2012/1/8 20:28:07
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261393.html2012/1/8 20:27:34
是开发蓝光led时，碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31
把以上所说的三种半导体二极管统统叫做发光二极管[1-4]. 发光二极管是由ⅲ-v族化合物,如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是pn
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29
纪(3383)、泰谷(3339)、广镓(8199)、鼎元(2426)、隆达(3698)、联胜等) 可能全都必须要能够量产光源效率100lm以上之led晶粒，才不至于在第一波竞逐中
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261373.html2012/1/8 20:22:27
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
—辐射红色光谱（r），波长660纳米左右；·磷化镓 (gap)——辐射绿色光谱（g），波长570纳米左右；·氮化铟镓（inGaN）——辐射蓝光光谱（b），波长400纳米左右；1.
http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2012/1/2/260774.html2012/1/2 16:39:57
