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电子制造商富士康(foxconn)开发出利用纳米微粒掺杂局限层(confining layer)的方式来，让氮化铟镓(inGaN)与砷化铝镓(algaas)活性层的晶格排列更平
https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00
美国加州大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现，对于以氮化钾(GaN)为主的发光二极管(led)，俄歇复合(auger recombination)是
https://www.alighting.cn/resource/20090615/128704.htm2009/6/15 0:00:00
本文根据目前半导体照明的最新研究进展，介绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程
https://www.alighting.cn/resource/200961/v19863.htm2009/6/1 9:33:11
固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠、重量轻、体积小等一系列特性。近年来，led发展突飞猛进。其中基于氮化镓GaN材料的高亮度功率型半导体照明是化合物半导体乃至整个光电子和半导体产业
https://www.alighting.cn/resource/2009518/V854.htm2009/5/18 11:06:37
中国科学院的陈弘与其研究团队利用晶格松弛(lattice relaxation)的特性，来控制氮化镓/氮化铟镓(GaN/inGaN)量子阱中铟的沉淀(precipitatio
https://www.alighting.cn/resource/20090505/128690.htm2009/5/5 0:00:00
一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra，日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
为了提高led芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ito芯片的led，GaN基白光led中如果用ito替代ni/au作为p型电极芯片的亮度要比采
https://www.alighting.cn/resource/20090224/128667.htm2009/2/24 0:00:00
随着发光材料与发光技术的不断革新，半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品，尤其是氮化镓基（GaN）白光led照明光源体积小、重量轻、方向性
https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00
自从1968年第一批led开始进入市场以来,至今已有30多年。随着新材料的开发和工艺的改进，led趋于高亮化和全色化。氮化镓基底的蓝色led的出现，更是扩展了led的应用领域。
https://www.alighting.cn/resource/20081114/128823.htm2008/11/14 0:00:00
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
