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三安光电(600703)公告表示，经第七届董事会第三十次会议决议，决定公司全资子公司厦门市三安光电科技有限公司新增国际先进的20台单腔机或者5台四腔连体机氮化镓mocvd设备及扩
https://www.alighting.cn/news/20131217/112297.htm2013/12/17 9:45:45
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，GaN/si基器件成为一个研究热点。然而, GaN与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
受惠于led背光和照明急单涌进，台led厂本季传统淡季罕见的热闹，晶电与集团下广镓本季营运表现将优于预期，明年在中功率led成为主流带动下，晶电集团占有优势，明年led照明比重挑
https://www.alighting.cn/news/20131216/112521.htm2013/12/16 9:53:12
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸为
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
副秘书长; 联建光电有限公司独立董事。 获奖情况： 在led应用方面已经进行的研究包括： 基于GaN基发光芯片的光提取效率问题; 非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系
http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49
英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅基氮化镓led。型号为plw114050，目前正在出样，这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29
台积电转投资led照明公司台湾半导体照明(tslc)以高功率led灯珠，独步台湾采用晶圆级led氮化铝基板封装制程，提供高性价比的解决方案。
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121665.htm2013/12/3 8:52:08
到较高的良率。优势：通过mocvd技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层，由p/n结髮光区发出的光透过上面的p型区射出。由于p型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/12/1/345357.html2013/12/1 18:56:56
