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源都是多色光,激光 。 不同的光源体发出的光具有不同的光谱(即电磁波谱)特性,如钠灯光谱在长波区域分布较多,而荧光灯光波在短波区域分布较多,而led光源的光谱分布主要在人眼能量反
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何满足应用的要求,并对其在安全、激光安全、性能和能效方面的表现进行科学的评价,是目前led 灯具产品面临的一大课题。要解决这一问题,应从了解现有灯具标准体系开始,明确制定灯具标准的基
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: auto; "iec62031普通照明用led模组的安全要求iec62384：2006led模组用交流或直流供电的电子控制装置的性能要求gb7247.1-2001激光产品的安全第1部
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阻、壳体温度、结温等参数表示。辐射安全。目前,国际电工委员会iec将led产品等同于半导体激光器的要求进行辐射的安全测试和论证。因led是窄光束、高亮度的发光器件,考虑到其辐射可
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品可用于下列的照明、装饰、景观等灯具的电路保护：各种led日光灯、球泡灯、杯灯、吸顶灯、路桥灯、交通灯、隧道灯、护栏灯、空中探照灯、激光灯、投光灯、庭院灯、地埋、水底灯、墙角灯、地脚
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光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性
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后,下一步就开始对led外延片做电极(p极,n极),接着就开始用激光机切割led外延片(以前切割led外延片主要用钻石刀),制造成芯片后,在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,如
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期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光器就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随
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术相对成熟；不足方面虽然很多,但均一一被克服,如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服,导电性能差通过同侧p、n电极所克服,机械性能差不易切割通过激光划片所克服,很大的热失配对外延
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止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家：德
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