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n led”其结构如图3 所示,根据报导,该封装结构的特点是采用热电分离的形式,将倒装芯片用硅载体直接焊接在热沉上,并采用反射杯、光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材料,具有较高的取
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
品，采用了全球领先的硅基垂直结构led芯片和倒装led芯片，结合公司先进的封装技术，严格执行欧美国家老化测试标准，具有高亮度、高可靠性、低热阻、耐大电流等优点，适用于路灯、隧道灯
http://blog.alighting.cn/zhouzhiming/archive/2015/1/21/364866.html2015/1/21 14:21:44
.6ev(inn)到6.2ev(aln)的连续可调直接带隙,这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电组件。因此,inn有望成为长波长半导体光电器件、全彩显
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中,可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分,导电类
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
体中携带出蒸汽,与v族的氢化物(如nh3,ph3,ash3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小；• [5]导电性好,能制成上下结构；• [6]光学性能好,制作的器件所发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
: ag（10: 1），li:al (0.6%li) 合金电极，功函数分别为3.7ev和3.2ev。优点：提高器件量子效率和稳定性；能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。 c．层状阴极
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
且改变器件的空间发光分布。平面led产生的朗伯分布并不适合背光模组，但通过优化光子晶体的结构就能使辐射强度分布趋向于特殊散光器和增光薄膜的特性。 美国公司luminus devic
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
据不同的应用需要，led的芯片可通过多种封装方式做成不同结构和外观的器件，生产出各种色温、显色指数、品种和规格的led产品。按封装是否带有引脚，led可分为引脚式封装和表面贴装封装两
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/7/27/58017.html2010/7/27 11:36:00
层界面平整化技术，大大减小了界面纳米刺相互嵌入所引起的漏电，led器件寿命延长一倍。 2005年开发出有源层应力预释放led新结构，将有源层ingan的v-pits缺陷密度降低一
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
