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光管。而目前最新的工艺是用混合铝（al）、钙（ca）、铟（in）和氮（n）四种元素的algainn 的四元素材料制造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271810.html2012/4/10 23:37:24
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271793.html2012/4/10 23:36:29
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271789.html2012/4/10 23:33:46
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32
前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(in)和氮(n)四种元素的algainn 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26
高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（esd）损害和热膨胀系数（tce）等效能瓶颈；本文将提出一套采次黏着基台（submoun
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271763.html2012/4/10 23:32:00
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25
路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271736.html2012/4/10 23:30:12
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 gan 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
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