GaN基半导体-阿拉丁站内搜索引擎

在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸

https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

封裝最主要的目的為保護裡面的晶片以及放大電極方便電路電源或控制訊號線路之引接。一般一個晶片(chip)到我們使用產品須經三階基本的封裝，而一階重點在晶片的保護及電極放大、二階在電路

https://www.alighting.cn/resource/20131211/125016.htm2013/12/11 12:02:47

本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。

https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48

场上最优化的方案。顺应市场发展，本文应用上海占空比半导体公司的du8613芯片，基于非隔离buck拓扑提供了一种3w球泡灯led恒流控制驱动方案，并提供了实验数据和相关波形图，并且展

https://www.alighting.cn/resource/20131211/125019.htm2013/12/11 10:29:34

住宅led灯泡的安全性和可靠性保护led灯泡是一种采用并联配置的半导体发光二极管的固态灯。此外，这种灯具还包括电源转换电子器件(直流/交流)、led的驱动芯片、用于热控的散热

https://www.alighting.cn/resource/2013/12/9/15132_68.htm2013/12/9 15:01:32

本文充分利用宽广阵容的模拟电源ic、分立器件及先进微封装，提出了一种基于配合通用照明趋势的高能效led驱动器方案。该方案提供了与众不同的高能效led驱动器设计方案，经验证该方案在未

https://www.alighting.cn/2013/12/9 14:31:02

led光衰(leddroop)是由俄歇复合(augerrecombination)引起的。俄歇复合是一种在半导体中发生的，三个带电粒子互相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包

https://www.alighting.cn/resource/20131205/125038.htm2013/12/5 10:48:58

基板的选择中，氧化铝(al2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体，但绝缘性不

https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16

led电流的精确度控制到与数字负载的供电电压的精度相同，既浪费电，又浪费成本。100ma到1a是当前大多数产品的电流范围，特别是目前350ma(或者更确切地说，光电半导体结的电

https://www.alighting.cn/2013/11/25 16:03:09