检索首页
阿拉丁已为您找到约 5174条相关结果 (用时 0.0207357 秒)

led封装领域用陶瓷基板现状与发展分析

虽ltcc、htcc、dbc、与dpc等陶瓷基板都已广泛使用与研究,然而,在高功率led陶瓷散热领域而言,dpc在目前发展趋势看来,可以说是最适合高功率且小尺寸led发展需求的陶

  https://www.alighting.cn/resource/20130922/125300.htm2013/9/22 16:39:13

led图案式蓝宝石基板市场规模今明两年爆发

由于pss基板有效提升亮度达30%,日韩厂商已有极高渗透率,台、陆厂商今年也会逐步采纳,据悉,目前led晶粒厂、蓝宝石基板厂都处于亏损阶段,在整个产业链中,pss还处于获利状况。

  https://www.alighting.cn/news/20120418/89140.htm2012/4/18 9:21:28

led散热基板厚膜与薄膜制程差异分析

影响led散热的主要因素包含了led晶粒、晶粒载板、晶片封装及模组的材质与设计,而led及其封装的材料所累积的热能多半都是以传导方式散出,所以led晶粒 基板及led晶片封装的设

  https://www.alighting.cn/2012/8/31 16:13:49

ngk(日本)开发出GaN衬底的uhb - led

近日,日本公司ngk insulators发布了新的用于电子设备应用的超高亮度(uhb )led,基于液相外延生长技术,超高亮度(uhb )led实现了其创新功能。 据 ngk估

  https://www.alighting.cn/news/20111214/99660.htm2011/12/14 10:16:15

松下电工展示外延片级接合四层封装led新品

松下电工在“第20届微机械/mems展”上展示外延片级封装(wlp)的最新研发成果,通过外延片级接合,将封装有led的外延片和配备有光传感器的外延片合计四枚外延片进行集成封装。

  https://www.alighting.cn/news/20090805/94902.htm2009/8/5 0:00:00

激光诱导下GaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入GaN中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

激光诱导下GaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入GaN中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

GaN非极性/半极性led与激光二极管新进展

ucsb 的shuji nakamura教授在题为《非极性/半极性led和ld的发展现状》的报告中介绍了极性c面led和用ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。

  https://www.alighting.cn/news/20080726/103963.htm2008/7/26 0:00:00

si衬底GaN基材料及器件的研究

多技术和观念上的突破,si衬底GaN基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基GaNled外延片和新基板焊接剥离技术,利用lp-mocvd系统在si(111)

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00

尚志半导体进军led蓝宝石外延

据我国台湾地区二极体硅外延片制造商尚志半导体公布的上半年财报可知,尚志税后净利为新台币5.27亿元新台币,每股纯税后盈余6.81元新台币。尚志表示,未来除持续原有的硅外延片量产

  https://www.alighting.cn/news/20080903/117389.htm2008/9/3 0:00:00

首页 上一页 27 28 29 30 31 32 33 34 下一页