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今年1月，南昌大学自主研发“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”成功荣获国家技术发明一等奖。该技术打破了日美led核心技术的垄断局面，对我国led产业发展具有重大的战略意义和产
https://www.alighting.cn/news/20161010/144895.htm2016/10/10 9:25:48
今年，南昌大学江风益教授所率团队研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目一举拿下国家技术发明一等奖，整个led产业为之振奋，打造“南昌光谷”，力争到2020年实现产业规
https://www.alighting.cn/news/20161017/145190.htm2016/10/17 9:40:13
值得一提的是，继“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”获得2015年国家技术发明一等奖后，半导体照明行业在2016年度科技奖励大会上再次斩获奖项，“多界面光-热耦合白光led封
https://www.alighting.cn/news/20170110/147436.htm2017/1/10 9:38:55
半导体照明是一场成功的技术革命，是第三代半导体材料(GaN)产业化应用的突破口，已经在照明产业的变革中确立了主导地位。随着绿色、低碳、可持续发展的需求，全球半导体照明产业进入新一
https://www.alighting.cn/news/20171025/153292.htm2017/10/25 10:30:13
、GaN hemt等光电半导体产
https://www.alighting.cn/news/20180517/156890.htm2018/5/17 10:16:59
队开发了一种用于在塑料上制造数千个蓝色氮化镓(GaN)micro led(厚度2μm)阵列的一次性转移方
https://www.alighting.cn/news/20180620/157271.htm2018/6/20 9:32:48
以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等为代表的第三代半导体材料具备高频、高效、耐高压、抗辐射能力强等优越性能，是支撑半导体照明、新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道交通、能源互联
https://www.alighting.cn/news/20190531/162047.htm2019/5/31 11:41:40
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。2010
https://www.alighting.cn/news/20111121/n384835887.htm2011/11/21 11:31:27
出。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光
https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06
近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/news/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
