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延改善LED芯片esd性能的方法

esd耐受电压是反映LED芯片性能的一项重要指标,可用于评估LED在封装和应用过程中可能被静电损坏的几率,是目前LED究和发的前沿问题之一。本文分析了晶体质量及芯片结构对le

  https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19

诺推出两款多功能LED驱动器简化照明电路设计

诺逻辑宣布推出两款最新高性能电荷泵产品,它们可帮助设计人员设计出体积大幅度缩小、功能更多的移动手机。

  https://www.alighting.cn/news/20070810/121105.htm2007/8/10 0:00:00

诺推出多功能LED驱动器简化照明电路设计

诺逻辑宣布推出两款最新高性能电荷泵产品,它们可帮助设计人员设计出体积大幅度缩小、功能更多的移动手机。

  https://www.alighting.cn/news/2007810/V8226.htm2007/8/10 11:02:05

基于mems的LED芯片封装的光学特性分析

本文提出了一种基于mems的LED芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装LED芯片的反射腔。分析了反射腔对LED的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11

cree最新推出高性能单芯片xlamp xm-l LED

cree公司已经推出了一款新型单芯片LED,采用高性能的紧凑型封装设计,封装大小为5x5 mm。cree的这款xlamp xm LED是专为高流明应用设计,如高隔间照明或道路照明。

  https://www.alighting.cn/news/20101116/121123.htm2010/11/16 0:00:00

台湾与日本LED芯片制造商计划扩大LED芯片产量

到2009年年底前,台湾LED芯片制造商晶元光电(epistar)和璨圆光电(formosa epitaxy)将扩大LED芯片月产量,有望增长到2亿颗,而日本的日亚也将在200

  https://www.alighting.cn/news/20090825/118175.htm2009/8/25 0:00:00

国产大功率LED芯片的封装性能

简单介绍了目前国内大功率LED芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90~100 lm/w之

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127157.htm2011/9/13 14:15:45

国产大功率LED芯片的封装性能

简单介绍了目前国内大功率LED芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90~100 lm/w之

  https://www.alighting.cn/resource/20110829/127236.htm2011/8/29 17:13:56

LED芯片及器件的分选测试

本文主要介绍LED芯片及器件的分选测试,LED的分选有两种方法:一是以芯片为基础的测试分选,二是对封装好的LED进行测试分选。

  https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50

全球一线LED芯片生产厂商简述

为你搜罗全球一线LED芯片生产厂商。

  https://www.alighting.cn/news/2009129/V22095.htm2009/12/9 10:56:44

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