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对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。
https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02
3月5～8日，科锐在东京展出了发光效率高达208lm/w的白色led产品“cree xlamp mk-r”。
https://www.alighting.cn/pingce/20130312/121928.htm2013/3/12 9:28:12
gt advanced technologies于7月8日推出其新型SiClone(tm) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品
https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46
随着led照明产品暨相关组件第一版安全标准《ansi/ul 8750》于2009年底正式生效，并取得美国国家标准机构(american national standard inst
https://www.alighting.cn/resource/20110310/127907.htm2011/3/10 11:42:34
高亮度 led 制造如今是否应该更加重视工艺控制？如果答案是肯定的，那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验？
https://www.alighting.cn/2014/3/13 11:33:06
通常情况下，led发光时所产生的热能若无法导出，将会使led结面温度过高，进而影 响产品生命周期、发光效率、稳定性，而led结面温度、发光效率及寿命之间的关系，以下 将利用关系图作
https://www.alighting.cn/resource/20110504/127669.htm2011/5/4 15:12:41
則會成磊晶層彎曲或破裂，使發光二極體晶粒製程不易切割或曝光，造成產品良率下降。 目前發光二極體常用的基板有gaas基板、gap基板、藍寶石(sapphire)基板及碳化矽(si
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
据了解，6英寸底板量产后，SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高，有助于削减制造成本，SiC功率元件的价格有望降低。目前，部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC二
https://www.alighting.cn/pingce/20100909/122986.htm2010/9/9 11:50:12
山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。
https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33
继美国cree之后的第二大SiC底板厂商何时出现?这是SiC半导体市场形成的关键”——众多SiC半导体的组件技术人员都这么认为。因为只要cree独霸市场的状态持续，底板价格就很
https://www.alighting.cn/news/20071024/120265.htm2007/10/24 0:00:00
