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山东大学3英寸SiC单晶研制成功

在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下,近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“SiC单晶衬底制备”课题(课题编号:2006aa03

  https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00

山东大学大直径SiC单晶研究取得突破进展

山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展,成功生长出直径3英寸的SiC单晶;2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。

  https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33

山东大学大直径SiC单晶研究取得突破进展

近日,山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展,成功生长出直径3英寸的SiC单晶;2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)

  https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00

led显示屏技术简介

1923年,罗塞夫(lossen.o.w)在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射,研究出了发光二极管(led:light emitting diode),一直不受重视

  https://www.alighting.cn/news/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47

led显示屏技术简介

1923年,罗塞夫(lossen.o.w)在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射,研究出了发光二极管(led:lightemittingdiode),一直不受重视

  https://www.alighting.cn/resource/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47

led电子显示屏发展史

1923 年,罗塞夫 (lossen.o.w) 在研究半导体 SiC 时有杂质的 p-n 结中有光发射,研制出了发光二极管 (led : light emitting diod

  https://www.alighting.cn/resource/20070123/128809.htm2007/1/23 0:00:00

美国研究小组得能源部资助弥合led“绿光缺口”

2006年8月22日,虽然基于 gan 或 alingap 的红、蓝光led(蓝宝石、SiC 和gaas衬底)已取得重大进步,但绿光led的发展步伐却显得跟不上时代,导致了照明

  https://www.alighting.cn/news/20060829/102265.htm2006/8/29 0:00:00

衬底材料——半导体照明的基石

半导体照明是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明,是21世纪最具发展前景的高技术领域之一,已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。衬底作为半导体照明产业技术发展

  https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00

led技术:外延片生长基本原理

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

cree,semisouth 和crystal is获得美国政府资助

cree,semisouth 和crystal is三家化合物半导体公司从美国商务部争取到七百余万美元的项目资金,准备启动汽车用SiC功率模块﹑固体照明用高亮度led和aln衬

  https://www.alighting.cn/news/20041206/103373.htm2004/12/6 0:00:00

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