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大功率led灯珠特性及技术参数分析

都可以算作大功率。一般功率数有:0.25w、0.5w、1w、3w、5w、8w、10w等等。主要亮度单位为lm(流明),小功率的亮度单位一般为mcd(毫坎德拉,1cd=1000mc

  https://www.alighting.cn/2013/11/13 16:10:24

柔性oled制备及性能

分别研究了在聚合物衬底和金属衬底上制备foled的工艺、结构及性能。在聚合物衬底上成功制备了2.8inch(7.112cm)的128×64单色foled显示屏,在驱动电压12v时

  https://www.alighting.cn/resource/20130411/125746.htm2013/4/11 10:42:17

蓝宝石图形化衬底的gan基led大功率芯片的研究和产业化

0hr光衰分别为-0.4%和2.8%。并成功解决了产业化的关键技

  https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44

一种实现大功率led均匀照明的投射器设计

据。将tir模型导入tracepro并对投射系统追迹光线。模拟结果表明:目标平面的光照均匀度达到92.6%,系统的效率达到91.8

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126107.htm2013/1/28 10:32:31

提高led外量子效率的研究进展

光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光子晶体技术

  https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22

十二五”路灯改造,led 照明迎来机遇

造;上海提出led 功能性照明市场占有率须达20%,将有8 万盏需要改造为led 灯;重庆预计隧道灯和道路建筑照明用等分别有约1.5 万盏以上将更换为led

  https://www.alighting.cn/2012/2/2 20:13:42

大功率led芯片粘结材料和封装基板材料的研究

b板的led总体热阻分别为8.95、10.66和22.48℃/w;采用sn20au80和银胶芯片粘接的led,芯片到cu热沉的热阻分别为3.75和4.80℃/w.因此对于大功率le

  https://www.alighting.cn/2011/12/5 17:48:09

si(001)衬底上apcvd生长3c-sic薄膜的微孪晶及含量

χ =1 5 .8°出现了新的衍射

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15

gan基led电流扩展对其器件特性的影响

极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 ma时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相差8%,验证了环状n电极结构有利于器件电流扩展,减少器件串

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40

蓝宝石头罩增透保护膜系的制备

膜其厚度不均匀性小于8.5%;雨蚀测试后,蓝宝石验证片的平均透过率损失小于1.0%.涂层通过雨蚀测试后,采用射频磁控溅射法在蓝宝石头罩上制备了sio2薄膜

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18

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