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基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
据了解，杭州钦钺科技有限公司（ktt）自主研发的国内首款epon终端芯片即将正式投产。在互联网应用全面进入“光时代”之际，这款光通信核心芯片的研发成功引起了业内外广泛关注。（见光
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271197.html2012/4/10 21:07:15
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271611.html2012/4/10 23:11:18
1．光电特性: led在其电流极限参数范围内流过led的电流越大,它的发光亮度越高.即led的亮度与通过led的 电流成正比.但绿光和蓝光及白光在大电流情况下会出现饱和现
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271691.html2012/4/10 23:22:23
年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ｌｅｄｓ）和激光二极管（ｌｄｓ）。目前有关ｇａｎ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ｇａｎ的刻蚀和欧姆接
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25
d,hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271777.html2012/4/10 23:33:00
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271792.html2012/4/10 23:33:55
﹑sr等 c、超高亮度：ug﹑uy﹑ur﹑uys﹑urf﹑ue等 d、不可见光(红外线)：r﹑sir﹑vir﹑hir e、红外线接收管：pt f、光电管：pd 2、按组
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271820.html2012/4/10 23:38:15
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274699.html2012/5/16 21:27:04
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274728.html2012/5/16 21:28:43
