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极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261891.html2012/1/8 22:44:02
底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（sic）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
式的led封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此，对于大工作电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262745.html2012/1/29 0:42:26
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此，对于大工作电流的功率型le
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263054.html2012/1/29 23:31:54
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263057.html2012/1/29 23:32:04
穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的esd值就
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/2/29/265106.html2012/2/29 15:14:13
