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[原创]隔爆型荧光灯

隔爆型荧光灯主要参数型号:dgs24/127y (a) exdi额定电压:ac127v额定功率:24w照度:≥10lx外形尺寸:470*105重量:2.6kg 隔爆型荧光灯主

  http://blog.alighting.cn/dongfengren/archive/2010/1/8/24858.html2010/1/8 10:04:00

莱西市文化中心楼体照明工程——2016神灯奖申报项目

工程地点位于莱西市北京路南、烟台路东。占地面积48218平方米,总建筑面积6.63万平方米,概算投资4.38亿元。文化中心主要分为四个馆,分别为文化馆、规划展览馆、图书馆、档案

  https://www.alighting.cn/case/20160126/41821.htm2016/1/26 17:31:55

高亮度led驱动动态及电路集锦

高亮度led是经过特殊处理的pn结半导体器件,正向偏置时可发出白光、红光、绿光或蓝光(也可能产生其它颜色光). 近几年,高亮度led(hb led)在各种照明系统中作为光源日益受

  https://www.alighting.cn/2013/9/12 13:43:46

一种直下式led背光源的设计方案

作。进行了详细的阐述。测试结果为中心亮度11,230nits、整体功耗178w 、均匀度96.26%、色彩还原性达到ntsc标准的128.15%.远远超过了ccfl背光源的70%

  https://www.alighting.cn/resource/20130802/125425.htm2013/8/2 11:49:36

用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征

采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原

  https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53

蓝宝石(0001)衬底上ga浸润层对zno外延薄膜质量的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn

  https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49

无线传感器网络标准之争—zigbee与z-wave

在无线传感器网络(wsn)领域中,多数人看好的是zigbee,毕竟zigbee有国际标准ieee 802.15.4为其技术根基,且目标市场较广、潜在需求用量较大。相对的,丹

  https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:58:29

led背光模组设计

本文主要研究侧光式背光模组中导光板的设计.作为模组中最关键的部分,如何利用导光板将led这种点光源转化成均匀的面光源,同时保证必要的光能量利用率,是背光源面临的两大议题。尤其在

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125681.htm2013/4/23 11:44:30

硅衬底gan基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

商业照明酝酿新的冲击波!

家企业正加大投资,以抢占中国乃至全球半导体照明高速发展的先机。 工信部数据显示,2009年我国照明器具制造业累计完成工业销售产值同比增长5.13%,增幅比去年上半年提高了4.2

  http://blog.alighting.cn/www_598light_com/archive/2010/3/3/34785.html2010/3/3 18:53:00

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