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度的led，其使用的封装技术若没有对应的强化提升，那么高亮度表现也会因此打折，因此本文将针对hb led的封装技术进行更多讨论，包括光通方面的讨论，也包括热导方面的讨论。 附注：大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
量，结果显示，发现ingan具有很好的发光能力的原因是，因为在含有in的氮化物半导体中，电洞被由in和氮原子组成的集团（局部效应）有效的捕获，能量没有转化成热，而是有效的转化成了
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
起封装料退化是合理的。 对于封装材料的热退化，d.l.barton等人的研究试验表明[1－4]，塑料在150℃左右会由于单纯的热效应使led的光输出减弱，尽管在寿命试验中没有发现塑
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
摘要：gan具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
流感应 几乎所有带可调输出的调节器，都可改装成一个led驱动器，但简单地用led串替换顶部反馈分压电阻并用电流感应电阻替换底部反馈电阻，将耗费电能并产生热量。若不对电流感应电压进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134114.html2011/2/20 22:52:00
级led；恒流；热阻；热沉；硅基板 中图分类号：tn312+.8 文献标识码：a 文章编号：1003-353x(2006)01-0059-03 1 引言 目前，功率级le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
光层ｍｑｗ的品质并没有成正比成长，其原是发光层中铟ｉｎｄｉｕｍ的高挥发性和氨ｎｈ３的热裂解效率低是ｍｏｃｖｄ机台所难于克服的难题，氨气ｎｈ３与铟ｉｎｄｉｕｍ的裂解须要很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
颗led品质不良短路时，如果采用稳压式驱动（如常用的阻容降压方式），由于驱动器输出电压不变，那么分配在剩余的led两端电压将升高，驱动器输出电流将增大，导致容易损坏余下所有led。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134108.html2011/2/20 22:48:00
而增加，目前，很多功率型led的驱动电流可以达到70ma、100ma甚至1a级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
小，其成本会越高，因此并不是光强越高越好，而是存在一个成本最低的最佳光强。 2．2换热系数的影响 太阳光照射到太阳电池上，一部分转变为电，而大部分却转变为热，使太阳电池温
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