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led驱动电源在led灯具中的应用分析

led简称发光二极管,由于它具有环保、寿命长、光电效率高(目前光效已经达到100lm/w)、抗震等众多优点,近年来在各行业应用得以快速发展,理论上,led的使用寿命在10万小时左

  https://www.alighting.cn/resource/20130111/126183.htm2013/1/11 9:43:02

东阳市总部中心夜景照明设计——2017神灯奖申报项目

东阳市总部中心为25层以上层高的建筑,建筑高度100米,为区域地标性视觉建筑。该项目占地面积约为196000㎡,总建筑面积约为255866㎡,建筑群包括4幢5a级政府服务中心及企

  https://www.alighting.cn/case/20170407/43468.htm2017/4/7 15:01:58

pld制备zno薄膜及非晶纳米棒的结构与性质研究

利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44

pld方法制备的zno纳米柱结构及光学特性

采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

区ingan的厚度2 nm,但光荧光的强度与100 nm厚ingan的体材料相

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

ge衬底上gainp_2材料的生长研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶衬底上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26

gasb衬底上外延inas_xsb_(1-x)材料的lp-mocvd研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39

产地证

产地证报价: co一般原产地证:80元/份, fa普惠制原产地证:100元/份, fe东盟产地证书:150/份, ff 中智产地证书:180/份, fb亚太原产地证

  http://blog.alighting.cn/ety3w4yq35/archive/2010/4/2/39294.html2010/4/2 9:02:00

蓝宝石基底上高密度定向单壁碳纳米管阵列的控制生长

利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35

绿美能电源性能总结

种led灯具的配套应使用。 5、电源外壳属铝合金材料,散热效果好。温升≦25℃、湿度100

  http://blog.alighting.cn/lmn2009/archive/2010/4/2/39313.html2010/4/2 12:23:00

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