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史： 1907年，henry joseph round第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。 1936年，georgedestiau的一份关于硫化锌粉末发射光的报告。随着电流的应用和广
http://blog.alighting.cn/130803/archive/2012/5/2/273416.html2012/5/2 14:56:46
式的led封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此，对于大工作电
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09
极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275037.html2012/5/20 20:21:18
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275040.html2012/5/20 20:21:28
次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。1936年，george desitiau出版了一份关于硫化锌粉末发射光的报告。20世纪50年代，英国科学家在电致发光的实验中是用半导体砷化镓发
http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278932.html2012/6/18 15:47:32
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279434.html2012/6/20 23:05:05
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279471.html2012/6/20 23:06:02
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装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此，对于大工作电流的功率型le
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