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术类别：微电子;光电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
对管芯发出光的折射率和透射率高。选择不同折射率的封装材料,封装几何形状对光子逸出效率的影响是不同的,发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。若采用尖
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新台阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
度和气氛中易分解和腐蚀。目前,zno半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件,主要是材料质量达不到器件水平和p型掺杂问题没有得到真正解决,适合zno基半导体材料生长的设备尚
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
用的树脂会吸收水分,这些水分子急速汽化时,会使原封装树脂产生裂缝,影响产品效益。在1990年初,hp和siemens component group合作开发长分子键聚合物,作为表
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
等半导体制成的,其核心是pn结,因此它具有一般p-n结的i-n特性,即正向导通反向截止,击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性,在正流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229893.html2011/7/17 23:02:00
用描述了该渐进技术相关的电路。 参考电流 输出电流是通过设定流入外部电阻器的参考电流来设定的。如图1所示,内部子电路提供外部电阻600 mv的偏置电压。iref引脚上的电压通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229864.html2011/7/17 22:46:00
力推动我国led照明用led的发展；以厦门为例子，自2004年厦门被科技部正式确定为中国四大光电产业基地之一以来，厦门基地内led企业已从最初的30余家发展到目前的90多
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229845.html2011/7/17 22:34:00
提高led芯片的光电效率，已成为led照明应用技术的关键指标，例如，藉由芯片结构的改变、芯片表面的粗化设计、多量子阱结构的设计形式，透过多重的制程技术改良，目前已能让单个led芯
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