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d)和激光产品侵犯其1项专利(专利号：5252499)，我国广东和深圳共4家企业涉
https://www.alighting.cn/news/2008325/V14732.htm2008/3/25 14:39:49
d的「激光光源
https://www.alighting.cn/news/2008114/V13686.htm2008/1/14 10:25:36
大功率半导体激光器制造商nlight 今天宣布完成对芬兰特种光纤制造商liekki的收购。nlight公司表示这次收购本月9日正式结束，他们现在正在努力实现对liekki团队的整
https://www.alighting.cn/news/20071119/V2723.htm2007/11/19 13:09:22
mocvd(metal organic chemical vapor deposition)是生长高质量半导体薄膜材料的技术，在led、半导体激光器、太阳能电池等多个领域都有应
https://www.alighting.cn/resource/20130308/125923.htm2013/3/8 12:02:56
铝(al)调整带隙，所获得的led和蓝紫色半导体激光器等发光元件已经实用
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
以gan为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
