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n结温度及壳体散热问题显得尤为重要，一般用热阻、壳体温度、结温等参数表示。 辐射安全。目前，国际电工委员会iec将led产品等同于半导体激光器的要求进行辐射的安全测试和论证。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134136.html2011/2/20 23:02:00
由器件的尺寸、结构及材料所决定的固定值。设发光二极管的热阻为rth（℃/w），热耗散功率为pd（w），此时由于电流的热损耗而引起的pn结温度上升为： △t（℃）=rth×p
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
体led功率一般在5w以下，还没有出现更大功率的led，这是目前led难以成为照明首选的最大瓶颈； 2)需要严格控制温度 led是一种半导体材料，与普通二极管一样具有pn结，由于高亮二
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00
片表面的电流扩散层。 7.烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。 银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。根据实际情
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
积小，易于led灯具的外观设计和光强分布的控制； 8、led可采用直流低压供电，安全可靠； 9、led不受启动温度的限制，可瞬时启动，一般为几个ms，且能瞬时达到全光通量输
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134122.html2011/2/20 22:57:00
与紫外线辐射和温度升高，封装材料的透明度研究下降[1－4]。众所周知，长时间接受紫外线的辐射会降低许多聚合物的光学透明度，而gan系统的带间辐射复合会产生紫外线，所以认为紫外辐射引
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
由各种不同成分的气流和精确控制的源流量所决定。mocvd的一个重要的特征是反应管壁的温度大大低于内部加热的衬底温度，使热管壁反应消耗降低。mocvd方法的生长速率适中，可以比较精确
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
动器、电压基准、电池检测和温度监控都有多种选择，而适当的外设组合又取决于多种因素。 输出功率的增加势必提高了对led的驱动要求。为了得到足够的亮度，一个5w的led要求7v时驱动电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134116.html2011/2/20 22:53:00
作电压在2～200v，恒定工作电流在10～100ma。其恒流温度漂移小于5μa/℃，发光效率大于17lm/w，同时简化了工频驱动电源电路，减小了远距离供电损耗。 关键词：功率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
高的裂解温度和极佳的方向性才能顺利的沉积在ｉｎｇａｎ的表面。但要如何来设计适当的ｍｏｃｖｄ机台为一首要的问题而解决此问题须要考虑下列因素：１要能克服ｇａｎ 成长所须的高温２
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
