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led防静电基础知识和试验测试标准：本文讲述led抗静电与衬底材质 、led静电击穿原理、led抗静电特点 、led抗静电评估重要性以及可参考标准 、静电试验的模式、机械模式试
https://www.alighting.cn/resource/2011/2/23/153548_60.htm2011/2/23 15:35:48
大陆已有多家厂商跨足或宣布将跨足蓝宝石晶棒领域，观察其所在位置，以华东地区相对较多，其次为西南地区。
https://www.alighting.cn/news/20110222/91188.htm2011/2/22 11:20:22
卡塞尔大学近日发表新闻公报说，欧洲纳米结构半导体照明研究项目的研究人员正在研发的新工艺使用低成本的硅基板取代蓝宝石基板，再用复杂的纳米工艺让直径约100纳米、高约3000纳米的六
https://www.alighting.cn/news/2011221/n312030361.htm2011/2/21 1:03:57
件的发光效率则已接近 30 lm/w。；能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多，采用低温多晶硅 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来；白光 oled 得到了广泛的重
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134178.html2011/2/20 23:22:00
形，n型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用sic衬底制造a
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
加了接触面积和经过激光辐照后，具有了更高的空穴浓度。 很多人 [3-7] 利用表面粗化来提高出光效率做了研究，主要利用的方法包括表面粗化、晶片键合和激光衬底剥离技术等。但是这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
n用来产生绿、翠绿、蓝光，以及用ingan产生近紫外线、蓝绿、蓝光。 至于作法有哪里些？这包括改变实体几何结构（横向转成垂直）、换用基板（substrate，也称：衬底）的材料、加
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
m。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
配的衬底材料，外延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷，其大部分的是线性位错，器件工作时，接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区，从而形成低阻欧姆通道，造
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
力都放在寻找晶格失配较小的衬底上，si衬底的使用并未引起人们太多兴趣，随着许多技术和观念上的突破，si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
