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2011年巴西金属加工焊接展

展会时间:2011年10月18-21日展会地点:巴西圣保罗北方展览中心展会周期:两年一届主办单位:aranda EvEntos E congrEsso展览公司与巴西工业部联合主

  http://blog.alighting.cn/lxjian1989/archive/2011/5/4/170357.html2011/5/4 14:07:00

[原创]宁波fw6101防爆移动灯海洋王【fw6101防爆灯】

王防爆灯fl4800强光防爆方位灯海洋王防爆灯bpc8720防爆平台灯海洋王防爆灯dgs70-127b(E)矿用隔爆型泛光灯海洋王防爆灯bfc8920粉尘防爆内场强光泛光灯海洋王防爆

  http://blog.alighting.cn/wbb1335829909/archive/2011/5/14/178529.html2011/5/14 16:13:00

基于单片机iap 技术的lEd 显示屏控制系统的设计

少指令的字节数。 ③由p2.0 至p2.3 输出行扫描信号,软件中将a、b、c、d 存放在dph 的低4 位中。④rck 和En 分别由p3.4、p3.5 控制。⑤sst89

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179888.html2011/5/20 0:38:00

lEd封装步骤

线保护起来。在pcb板上点胶,对固化后胶体形状有严格要求,这直接关系到背光源成品的出光亮度。这道工序还将承担点荧光粉(白光lEd)的任务。 E)焊接:如果背光源是采用smd-lEd或

  http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222023.html2011/6/19 22:43:00

lEd封装步骤

线保护起来。在pcb板上点胶,对固化后胶体形状有严格要求,这直接关系到背光源成品的出光亮度。这道工序还将承担点荧光粉(白光lEd)的任务。 E)焊接:如果背光源是采用smd-lEd或

  http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222068.html2011/6/19 23:05:00

贴片高压电容、贴片电容、高压贴片电容

一1206 106k 16vtdk电容—c3216x5r1E106k一一1206 106k25vtdk电容---c3225x7r1E106k一一-1210 106k 25vtdk电

  http://blog.alighting.cn/s415998493/archive/2011/6/27/227856.html2011/6/27 11:05:00

halt-hass测试流程介绍

境应力将产品设计缺陷激发出来,并加以改善; b、了解产品的设计能力及失效模式; c、作为高应力筛选及稽核规格制定的参考; d、快速找出产品制造过程的瑕疵; E、增加产品的可靠性,减

  http://blog.alighting.cn/yjck168/archive/2011/7/7/228932.html2011/7/7 16:19:00

lEd主要参数与特性

系:if = is (E qvf/kt –1) is为反向饱和电流。v>0 时,v>vf 的正向工作区if 随vf 指数上升:if = is E qvf/kt  (3)反向死区 :v

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00

lEd lamp(lEd灯)由那些材料构成

4ld/dd:用来做蓝、白、纯绿、紫色的lamp,可焊双线,杯较深。E、2006:两极均为平头型,用来做闪烁lamp,固ic,焊多条线。f、2009:用来做双色的lamp,杯内可

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00

lEd芯片封装缺陷检测方法研究

层和穿过膜层的电流密度,,x指向为芯片电极表面到压焊点,为膜层中z方向任意点的势垒,E是垂直芯片电极表面速度为vx电子的能量。图2为在电场f’作用‘f芯片电极表面的势垒图,其中Ef为费

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00

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