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封装界面对热阻影响也很大

热界面材料)与工艺、热沉设计等。 led封装常用的tim为导电胶和导热胶,由于热导率较低,一般为0.5-2.5W/mk,致使界面热阻很高。而采用低温或共晶焊料、焊膏或者内掺纳米颗

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115034.html2010/11/18 16:41:00

系统封装技术和工艺

在系统集成方面,台湾新强光电公司采用系统封装技术(sip), 并通过翅片+热管的方式搭配高效能散热模块,研制出了72W、80W的高亮度白光led光源,高亮度led器件要代替白炽

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115033.html2010/11/18 16:40:00

浅析可提高led光效的芯片发光层结构设计

0.15~0.75nm的范围内时,光效最高;超出这个范围时,光效则急剧下降,这是由于活性层太薄,容易引起载流子隧道穿透到活性层之外;如果活性层太厚,载流子复合效率会降低。量子阱结

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00

led荧光粉配胶的过程

led荧光粉配胶程序是led制程中,相当基础的一环,我们来看看是怎么做的。准备工作:1、开启并检查所有的led生产使用设备(烤箱、精密电子称、真空箱)2、用丙酮清洗配胶所用的小烧

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115029.html2010/11/18 16:33:00

5050三晶规格和单晶规格的流明和光衰问题

候,估计没有谁会把3颗晶片排成“一”字形,降低了光线的互相损耗几率。 2.热的问题:led散热真的是一个大问题,也是目前瓶颈之一,因为留在led内部的热越多,会加剧光衰。led灯的

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115027.html2010/11/18 16:28:00

led芯片知识-什么是mb、gb、ts、as芯片

易。2﹕通过金属层来接合(Wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。3: 导电的si 衬底取代gaas 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115018.html2010/11/18 16:06:00

电能转化为光能的效率

灯,只有1—2W的电用于发出可见光,而剩余的8-9W 的电能用于产生热量。所以led散热是一个很棘手的问题。不过能达到10%—20%效率,已经很不错了,因为转化的10%-20%的电能几

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115016.html2010/11/18 16:05:00

led生产工艺及封装技术

坑(lockhill) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115017.html2010/11/18 16:05:00

可调色温、显指的白光大功率led封装技术分析

光色温可调;通过控制红光晶片的电流从而实现白光显指可调。  二、 技术原理分析  传统白光光谱由蓝光加黄光光谱组成,如图2所示: 图2   为提高白光产品的显色指数,目前行

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115014.html2010/11/18 16:01:00

光通量衡量发光效率的一个指标

衡量发光效率的一个指标,就是每瓦的电功率可以发出多少流明的光通量,理论极限是683流明(而且需要是0.54微米波长的黄绿色光)。白炽灯是每瓦10流明左右,好的白色led应该可以达

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115013.html2010/11/18 16:00:00

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