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决方案。 展品范围 01材料、组件及封装 1.1外延片、磊芯片、芯片等1.2led荧光粉、有机硅、导线架 02led设备/led制造设备/led检测设备 2.1mocv
http://blog.alighting.cn/ggexpo2010/archive/2010/11/15/114252.html2010/11/15 18:05:00
0led具有一般硅二极管的类似特性，在正负极之间施加电压。当外加电压达到一个临界值，led中产生电流，开始发光。当电压超过这个临界值时，电流急剧增加。白色led的临界电压值约3.5
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2010/12/9/119304.html2010/12/9 14:12:00
a titanium co., ltd）生产微粒，其中zx系列为20nm直径的zno颗粒，该公司还在纳米粒子外涂上均匀的硅土薄层降低表面活性，增加透明度和提高其屏蔽紫外线的功
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120320.html2010/12/13 10:37:00
术能使用某些合适的坚硬材料制成模板，如石英或硅，在led外延片上挤压形成图形。如直写电子束光刻这样的高分辨率技术就能用来制造模板，由于每块模板能压印制造出许多块晶片，成本反而低到让
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
器是另一种选择，surgector就是其中之一，它专为有线通信系统提供二级保护而设计，采用硅闸流管技术以提供变向钳位保护。该器件可用来吸收电信电路的暂态波形和高峰值浪涌电
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00
能超过容许值，最后业者终於领悟到解决封装的散热问题才是根本方法。有关led的使用寿命，例如改用硅质封装材料与陶瓷封装材料，能使led的使用寿命提高一位数，尤其是白光led的发光频
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
错密度，改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan，再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成gan视窗和掩膜层
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，ｐｃｂ线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入２１世纪后，ｌｅｄ的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新，红、橙ｌｅｄ光效已
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
0 lm/w，这种新型结构在国内尚无产品，处于空白状况，目前国内所用的高流明效率的ingaalp功率型硅衬底led芯片全部从海外进口。 整个“十五”期间，我国的ingaalp超
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
属凸点导给热导系数高的硅衬底（为145w/mk），散热效果更优；而且在pn结与p电极之间增加了一个反光层，又消除了电极和引线的挡光，因此这种结构具有电、光、热等方面较优的特性。 2
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
