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.5%股份,实现了对lumileds的全资掌控。?;2006/1,飞兆半导体公司 宣布将其 led 和 led 显示器产品线售予台湾亿光电子工业股份有限公司的美国分公
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inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7ev左右,而不是先前普遍接受的1.9ev,所以通过调节合金组分可以获得从0
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状：mocvd技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
展uv三基色萤光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效萤光粉很多,其发光效率比目前使用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新胚阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子
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此在混色技巧上一定要相当好,否则会产生相当大的问题。为 什么会有这样的问题出现？主要就在于三种颜色的频率与波长的问题,安捷伦电子量测事业群应用工程部资深项目经理祁子年表示,红光频率最
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229943.html2011/7/17 23:27:00
统的电光转换效能达到约40%,对于提升系统色域及饱和度、降低材料成本等,都有非常显著的影响。两种不同的混色原理在传统彩色滤光片应用中, 单一像素乃由三个子像素所构成,每个子像素由一颗场
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须具有耐湿性,绝缘性,机械强度,对管芯发出光的折射率和透射率高。选择不同折射率的封装材料,封装几何形状对光子逸出效率的 影响是不同的,发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透
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术类别：微电子;光电
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为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研
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