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从led工作原理可知，外延片材料是led的核心部分，事实上，led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在，金属有
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
塑边条、亚克力板或有机片做好的立体字上盖扣上并钉好，安装在所需场所。将变压器选择合适的电压接通电源。 这样，发光立体字或发光标识（logo）就制作完成。 采用压克力工艺成型立体发光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120538.html2010/12/13 23:00:00
纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有gaas、aln、zno等材料。 mocvd是利用气相反应物（前驱物）及ⅲ族的有
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
能超过容许值，最后业者终於领悟到解决封装的散热问题才是根本方法。有关led的使用寿命，例如改用硅质封装材料与陶瓷封装材料，能使led的使用寿命提高一位数，尤其是白光led的发光频
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
名，在全球暖化节能减碳的共同议题下，实有机不可
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120525.html2010/12/13 22:55:00
器是另一种选择，surgector就是其中之一，它专为有线通信系统提供二级保护而设计，采用硅闸流管技术以提供变向钳位保护。该器件可用来吸收电信电路的暂态波形和高峰值浪涌电
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
对于有机电致发光器件，我们可按发光材料将其分为两种:小分子oled和高分子oled（也可称为pled）。它们的差异主要表现在器件的制备工艺不同:小分子器件主要采用真空热蒸发工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
: ag（10: 1），li:al (0.6%li) 合金电极，功函数分别为3.7ev和3.2ev。优点：提高器件量子效率和稳定性；能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。 c．层状阴极
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
术能使用某些合适的坚硬材料制成模板，如石英或硅，在led外延片上挤压形成图形。如直写电子束光刻这样的高分辨率技术就能用来制造模板，由于每块模板能压印制造出许多块晶片，成本反而低到让
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