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同,目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN,前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光,后者GaN用来产生绿、翠绿、蓝光,以及用inGaN产生近紫外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和GaN 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
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色一致。由于led是半导体器件,相比其他光源,它具有独特的特性,其中最显著的是电流和光强度之间的非线性关系。图1显示一些典型led的这种关系。图1一些典型led的电流和光强度之
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来,在70年代被应用在高压汞灯中,主要用来提高高压汞灯的显色性。进入90年代后,该荧光粉成为蓝光led晶片首选的荧光材料,由于在led器件中对荧光粉的要求不完全等同于上述两种器件的要
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发光二极管led (light emitting diode)是一种可将电能转换为光能的能量转换器件,具有工作电压低,耗电量少,性能稳定,寿命长,抗冲击,耐震动性强,重量轻,体积
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
.6ev(inn)到6.2ev(aln)的连续可调直接带隙,这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电组件。因此,inn有望成为长波长半导体光电器件、全彩显
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光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性
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且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
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率和多个led应用的场合,热量积少成多而不能小觑,led不同于白炽灯、荧光灯等传统照明光源,过高的温度会缩短,甚至终止其使用寿命。而且led是温度敏感器件,当温度上升时,其效率急
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情况：在焊接ic器件时,固化后,所有的引脚还落在焊盘上,但经过波峰焊后ic引脚会出现移位甚至离开焊盘并产生焊接缺陷。因此,要保证焊接品质,应坚持每个产品均要做温度曲线,而且要认真做
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