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售。mocvd设备的发展趋势：研制大型化的mocvd设备。为了满足大规模生产的要求,mocvd设备更大型化。目前一次生产24片2英寸外延片的设备已经有商品出售,以后将会生产更大规模的设
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
子作用的?偶?并不是与电子发射阴极平行排列在下玻璃基板上,而是制作在电子发射阴极和阳极(上玻璃基板)之间,因此仅仅是电极制作工艺的区别。fed从上世纪90年代初做出实用化的样
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
产的mocvd设备。日本酸素公司生产的氮化镓-mocvd设备性能优良,但该公司的设备只在日本出售。mocvd设备的发展趋势：研制大型化的mocvd设备。为了满足大规模生产的要求,mocv
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
一 引言半导体发光二极管简称led, 从上世纪六十年代研制出来并逐步走向市场化,其封装技术也是不断改进和发展。led 由最早用玻璃管封装发展至支架式环氧封装和表面贴装式封装,使得
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
点工作,但尚未普及。用白光led灯取代白炽灯达到使火电厂减少二氧化碳、二氧化硫排放及节电的意义是十分重大的。北大宽禁带半导体研究中心张国义教授说：“如果全国居民用的电灯能有50%改
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230082.html2011/7/18 23:23:00
论定律,从1965年第一个商业化的led开始算,在这30多年的发展中,led约每18个月;24个月可提升一倍的亮度,而在往后的10年内,预计亮度可以再提升20倍,而成本将降至现有的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230092.html2011/7/18 23:40:00
d）等isp器件无须编程器，利用器件厂商提供的编程套件，采用自顶而下的模块化设计方法，使用原理图或硬件描述语言（vhdl）等方法来描述电路逻辑关系，可直接对安装在目标板上的器件编程。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230163.html2011/7/19 0:19:00
寸的应用，例如是车载导航用面板、手机面板、pda用面板等等，就多是使用白光led的侧光方式，不过侧光白光led的背光方式，已经逐渐朝向大尺寸化发展，目前包括有部分的笔记型计算机也开始采
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230285.html2011/7/19 23:40:00
0～200 v电压。即pwm脉宽从0～50弘s。根据pic芯片pwm脉宽寄存器赋值计算公式，得pwm脉宽寄存器赋值范围为00h～ofah。其程序设计流程如图4所示。程序设计思路为：初始
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230292.html2011/7/19 23:44:00
屏，led照明，led交通信号灯，led生产设备、测试设备等琳琅满目，说明我国led产业的新高潮已经到来。笔者认为，本次展会是一个标志，标志我国led产业走到了一个国产化的转折点。国
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