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了如下两个观点:1.要在保持低成本和自然散热方式下提高led器件的功率,根本的出路是提高光转换效率;2.在目前没有提高光转换效率的情况下,发展超过5 w的大功率器件对工程应用没有实
https://www.alighting.cn/resource/20130318/125866.htm2013/3/18 11:53:54
据。将tir模型导入tracepro并对投射系统追迹光线。模拟结果表明:目标平面的光照均匀度达到92.6%,系统的效率达到91.8
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126107.htm2013/1/28 10:32:31
华为深圳荔枝园（东区及西区）夜景灯光项目，作为华为在坂田建设200亿国际总部之后的又一重点项目，位于华为国际总部以西，总占地198972.6㎡，总建面437492 ㎡（其中西
https://www.alighting.cn/case/20170411/43501.htm2017/4/11 11:03:49
圆融天幕位于苏州cbd核心，全长约500米，宽32米，高约21米。其上层采用etfe气枕，每个气枕长度为8.4米，宽度为4.2米，总共为292个气枕。下层为ptfe穿孔膜材用于悬
https://www.alighting.cn/2012/2/16 19:57:00
“十城万盏”半导体照明试点和路灯led 改造将继续推进。“十二五”期间，广州将在每年安排1 亿元用于led 产业发展，计划对中心城区11.4 万盏市政路灯进行led 路灯节能改
https://www.alighting.cn/2012/2/2 20:13:42
对gainp2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当gainp2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35nm/min,ⅴ/ⅲ为180～220时,获得了满足级联电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
然不同.对α面gan的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面gan和с面蓝宝石上的с面gan,在α面gan上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性gan截然不同.对α面gan的缺陷形成原因进行了讨
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
