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MOCVD设备气体输运关键技术的研究

MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)是生长高质量半导体薄膜材料的技术,在led、半导体激光器、太阳能电池等多个领域都有应

  https://www.alighting.cn/resource/20130308/125923.htm2013/3/8 12:02:56

蓝宝石上aln基板的MOCVD外延生长

结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23

MOCVD法制备cu掺杂zno薄膜

本文采用MOCVD法在c-al2o3 衬底上生长本征zno和cu掺杂zno薄膜,利用cu(tmhd)为cucu?掺杂源,通过控制cu源温度(tcu)来控制cu掺杂条件,并利用x射

  https://www.alighting.cn/2014/12/17 11:43:13

利用三步法MOCVD生长器件质量的gan

在传统的二步MOCVD外延生长的基础上 ,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43

led照明灯MOCVD外延生长技术

一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯MOCVD外延生长技术》的讲义资料,分享了衬底材料的选择,以及外延技术的发展趋势等内容,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01

MOCVD生长中利用al双原子层控制和转变gan的极性

讨论了采用MOCVD在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一

  https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23

外延MOCVD基本原理及led各层结构

来自维易科公司的关于《外延MOCVD基本原理及led各层结构》的技术资料,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:54:13

MOCVD片式红外辐射系统调节曲线的仿真与分析

以片式红外加热的MOCVD反应室为研究对象,应用二位数学模型进行了有限元分析和计算,具体研究了加热器调节的依据——调节曲线的峰值变化情况。通过计算表明,片式加热器加热系统在石墨

  https://www.alighting.cn/2013/1/7 15:49:11

MOCVD方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜

采用常压MOCVD方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44

应用自动数据分析软件可提高led制造中MOCVD外延工艺的良率

led厂商都在期待led能在普通照明领域应用上产生新一轮的市场需求,而led在这一领域的增长将高度依赖于能否进一步降低其每流明发光的成本。由于对新增MOCVD生产能力的需求预期增

  https://www.alighting.cn/resource/20150121/123715.htm2015/1/21 11:13:33

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