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本文为2014年10月,led行业的相关资料报告。详见下文。
https://www.alighting.cn/resource/20141219/123895.htm2014/12/19 10:39:45
研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近,在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。
https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03
实验结果表明,不仅热电制冷片热端冷却水流量是影响冷却效果的重要因素,而且热电电流和芯片功率与热电冷却性能也有着密切的关系。实验结果对热电冷却器的最佳冷却性能的确定具有一定的参考意义
https://www.alighting.cn/resource/20141212/123928.htm2014/12/12 15:05:59
介绍了一种基于fpga的led显示屏控制系统的设计方法,系统由一片fpga芯片、led显示及接口驱动电路模块组成。
https://www.alighting.cn/2014/12/11 9:42:47
本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。
https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28
本文提出利用hrxrd 倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对algan 材料的mocvd 外延生长具有重要的指导意义。
https://www.alighting.cn/2014/12/3 11:50:29
通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高gan基蓝光led
https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13
与其他两种衬底的led 芯片相比,以sic 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下降
https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37
采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性gan薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00