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日本发表使用氧化基板的GaN类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12

2013年氮化设备市场将有所增长

高品质蓝宝石和碳化硅衬底使氮化设备(主要是高亮度led)市场快速增长,2008年,市场就已达46亿美元。

  https://www.alighting.cn/news/20090601/95874.htm2009/6/1 0:00:00

北美:未来十年市场翻倍增长 氮化需求增长

北美战略分析部门一负责人在谈到2013-2023年的氮化发展趋势中称,10年期间,相关的半导体和其他器件市场将从12亿美元上涨到21亿美元,其中氮化的技术逐渐成熟,复合增长

  https://www.alighting.cn/news/20141224/86692.htm2014/12/24 9:39:39

东芝发布新氮化led产品规格书

东芝在2012年12月中旬宣布已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化led的工艺,通过采用新型硅上氮化(GaN-on-si)技术来生产led芯片,并且已准备开始量产。公

  https://www.alighting.cn/news/20130105/112463.htm2013/1/5 10:28:37

mocvd生长GaN基蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层量与氨量的化学计量

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

trifortune订购aixtron系统 研发氮化基材led

aixtron爱思强股份有限公司宣布,中国江苏trifortune电子科技有限公司已订购一套aixg5ht系统,用以研发基于氮化的高亮度led。

  https://www.alighting.cn/news/20140409/114790.htm2014/4/9 9:48:34

高性能氮化晶体管研制成功

此前,氮化只能用于(111)-硅上,而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明,新晶体管能同由(11

  https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29

新发现:垂直集成氮化led助力发展micro led显示器

美国罗彻斯特理工学院(rochester institute of technology)的研究者新设计出一种垂直集成氮化led结构,有助于提高micro led显示器的效率。

  https://www.alighting.cn/news/20190314/160830.htm2019/3/14 9:32:59

南通同方使用veeco设备生产氮化led

南通同方已采用veeco的设备成功生产基于蓝宝石衬底的氮化led,硅基氮化led将成为其未来几年投资重点,并将继续采用veeco设备。

  https://www.alighting.cn/news/20120919/113212.htm2012/9/19 15:43:29

epiGaN 成功调试爱思强mocvd,用于量产6英寸硅基氮化晶片

n 计划将这些系统用于商业化生产适用于各种电力和射频电子设备的6 英寸硅基氮化晶片,以及开发新一代200 毫米硅基氮化

  https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49

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