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赵汉民推荐晶能光电参与2015阿拉丁神灯奖评选

产的高科技企业。公司硅衬底led芯片创造性地使用硅代替蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化基led器件,结合了具有自主知识产权的高效GaN外延技术和芯片技术,是目前全球唯一可以量产硅衬

  http://blog.alighting.cn/207028/archive/2015/2/6/365492.html2015/2/6 10:18:24

美国普瑞公司白色led芯片业务被东芝收购

用白色led业务。  东芝与普瑞光电正在共同开发基于普瑞光电的GaN-on-si(硅基氮化)技术的白色led芯片。东芝于2012年12月推出了采用该芯片的照明用白色led灯。为

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/4/29/315893.html2013/4/29 8:55:24

led火热氛围中 索尼或将研发三基色镭射投影?

体雷射器,借鉴住友电气的半极性氮化技术,晶体生长,及芯片加工技术,以及索尼的GaN基蓝光雷射技术。通过采用新技术和提高整个半导体雷射器的生产过程,包括结构设计,晶体生长,芯片加

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/6/27/280011.html2012/6/27 8:52:26

led外延的衬底材料有哪些

衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如GaN、si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化用于GaN生长的最理想衬底是GaN单晶材料,可大大提高外延膜的晶

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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