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随着发光材料与发光技术的不断革新，半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(LED)照明产品，尤其是氮化镓基（gan）白光LED照明光源体积小、重量轻、方向性
https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00
继6寸晶圆产线陆续启动后，发光二极体(LED)制造商已投入8、12寸晶圆的研发，如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(gan-on-silico
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02
台湾虽已成世界LED生产的重镇，但其主要发光专利仍掌握在日(如nichia)、美(如cree)、欧(如osrams)等大公司的手中。更有甚者，mocvd生长的LED磊晶(如氮化
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress)，这种应力在LED架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之
https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15
赤崎和天野的研究小组，就在gan类蓝色LED的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”，获奖理由中有这样一段话：“在gan类氮化物半导体材料和元器件的研
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用LED，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光LED 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,LED)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基LED外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
