检索首页
阿拉丁已为您找到约 102307条相关结果 (用时 0.0355042 秒)

衬底ganLED研究进展

由于具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,gan/si器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

江风益:中国发光之父

1987年开始学习发光学,到2016年凭借“衬底LED项目”获得国家技术发明一等奖,江风益默默耕耘了半辈子才厚积薄发。即使如此,他日前在接受上证报专访时仍谦虚地表示,衬底le

  https://www.alighting.cn/news/20160314/137921.htm2016/3/14 9:47:27

allos推新型氮化镓外延片产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

半导体照明国家工程中心落户南昌高新区

近日,依托南昌大学、晶能光电的国家半导体照明工程技术研究中心获科技部批准组建。该中心组建期为3年,将获得国家拨款1400万元。至此,江西省国家工程技术研究中心增至5家。

  https://www.alighting.cn/news/20110331/100815.htm2011/3/31 9:22:45

氮化镓在大功率LED的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

东京都市大学制作出嵌入锗量子点的LED

东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的发光元件,并在室温下确认了于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激

  https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00

全球最大oLED厂商合肥视涯建成投产

?11月21日上午,合肥视涯项目投产仪式在合肥新站高新区内隆重举行,标志全球最大的oLED生产工厂正式投产。

  https://www.alighting.cn/news/20191122/165235.htm2019/11/22 9:45:24

gan LED及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(gan)LED元件通常以蓝宝石或碳化(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

国家LED工程技术研究中心落户南昌

南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心,在电子发展金和“863”等计划的资助下,创造性发展了一条新的半导体照明技术路线-衬底LED照明技术路线,改变了日美等国垄断LED

  https://www.alighting.cn/news/2011216/n509730304.htm2011/2/16 0:09:36

科学家制成彩色高效发光二极管

了高效的发光二极管(siLEDs),其不含重金属,却能够发射出多种颜色的

  https://www.alighting.cn/pingce/20130221/121910.htm2013/2/21 11:10:07

首页 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 下一页