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来自电子、微电子及纳米技术研究院 （iemn）的最新结果显示，allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。
https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29
近日，依托南昌大学、晶能光电的国家硅基半导体照明工程技术研究中心获科技部批准组建。该中心组建期为3年，将获得国家拨款1400万元。至此，江西省国家工程技术研究中心增至5家。
https://www.alighting.cn/news/20110331/100815.htm2011/3/31 9:22:45
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
?11月21日上午，合肥视涯项目投产仪式在合肥新站高新区内隆重举行，标志全球最大的硅基oLED生产工厂正式投产。
https://www.alighting.cn/news/20191122/165235.htm2019/11/22 9:45:24
传统的氮化镓(gan)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
了高效的硅基发光二极管(siLEDs)，其不含重金属，却能够发射出多种颜色的
https://www.alighting.cn/pingce/20130221/121910.htm2013/2/21 11:10:07
报道显示，三星打算把原来的LED生产线“line 3”、“sr line”整并为一条，转移到位于京畿道器兴的“line 5”。line 5原本负责生产三星的系统半导体，但该公司决
https://www.alighting.cn/news/20150317/97057.htm2015/3/17 9:14:55
讲。为让网友深入了解晶能光电发展近况以及未来战略布局，新世纪LED网记者独家专访了晶能光电有限公司硅衬底LED研发副总裁孙钱博
https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基LED 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基LED, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
