站内搜索
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
日前积极将碳化硅材料运用于led散热领域的凯乐士（kallex）公司，目前已进入测试阶段，该公司所研发的散热涂料已应用于铝合金散热鳍片表面之喷涂。将铝鳍片喷上碳化硅散热涂料之
https://www.alighting.cn/resource/20100105/128760.htm2010/1/5 0:00:00
2019年5月14日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – cree, inc. (nasdaq: cree) 作为sic碳化硅半导体的全球引领者，成为大众汽车集团(volkswage
https://www.alighting.cn/news/20190515/161917.htm2019/5/15 13:46:06
碳化硅(sic)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅mosfet器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅mosfet器件可实现更高的系统效率及更
https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38
科锐公司 (cree, inc) (nasdaq: cree)宣布推出第二代碳化硅 (sic) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这
https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
计自动化工具)，以实现科锐碳化硅衬底氮化镓 mmic 加工性
https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18
东莞市将对2010年度市重大科技专项《纯电动汽车集成开发关键技术研究及应用》、《电动汽车动力电池关键技术研发与产业化》、《第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化》、《半导体照明产
https://www.alighting.cn/news/20120305/109591.htm2012/3/5 10:18:21
led领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降
https://www.alighting.cn/news/2012911/n735043325.htm2012/9/11 10:30:55
